IGBT模块的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。

       IGBT模块的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE（th）时，处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。